[16a-E206-1~13] 13.4 Si wafer processing /Si based thin film /Interconnect technology/ MEMS/ Integration technology

[16a-E206-7] Through silicon via etching with high-speed gas-switching Bosch process using minimal ICP deep trench etcher (II)

〇Hiroyuki Tanaka^1,2, Hisato Ogiso^1,2, Shizuka Nakano^1,2, Yoshiyuki Nozawa^2,3, Toshihiro Hayami^2,3, Sommawan Khumpuang^1,2, Shiro Hara^1,2 (1.AIST, 2.MINIMAL, 3.SPPT)

Keywords:Through Silicon Via, minimalfab, Bosch Process

ミニマル装置を用いた高速ガススイッチングプロセスでTSVへ適応について評価を行い、2secサイクルでスキャロプを消失させたSi基板貫通エッチングを達成した。今回はエッチング側面の縦スジが殆ど見られず、かつwafer全面において高品位な貫通エッチングができた。マスクジャギーによるエッチング側壁面への縦スジ転写やウェハ裏面・エッジ部のエッチング浸食などを防止した実用化に向けたミニマルTSV高品位エッチング技術を報告する。