[16a-E206-1~13] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

[16a-E206-7] ミニマル装置を用いた高速ガス切り替え貫通エッチング（Ⅱ）

〇田中 宏幸^1,2、小木曽 久人^1,2、中野 禅^1,2、野沢 善幸^2,3、速水 利泰^2,3、クンプアン ソマワン^1,2、原 史朗^1,2 (1.産総研、2.ミニマルファブ、3.SPPテクノロジーズ)

キーワード：TSV、ミニマル、ボッシュ

ミニマル装置を用いた高速ガススイッチングプロセスでTSVへ適応について評価を行い、2secサイクルでスキャロプを消失させたSi基板貫通エッチングを達成した。今回はエッチング側面の縦スジが殆ど見られず、かつwafer全面において高品位な貫通エッチングができた。マスクジャギーによるエッチング側壁面への縦スジ転写やウェハ裏面・エッジ部のエッチング浸食などを防止した実用化に向けたミニマルTSV高品位エッチング技術を報告する。