[16a-P4-1~29] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[16a-P4-18] Si基板上AlGaN/GaN HEMT構造における縦方向リーク電流の温度依存性

〇木村 隼人¹、山岡 優哉^1,2、各務 憲¹、江川 孝志¹ (1.名工大工、2.大陽日酸)

キーワード：AlGaN/GaN HEMT、縦方向リーク電流、温度依存性