[16a-P5-1~15] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[16a-P5-13] ドライ酸化、窒化、POCl₃処理Si面SiC-MOS界面の電子スピン共鳴分光

〇(M2)金 建佑¹、奥田 貴史²、須田 淳²、木本 恒暢²、岡本 光央³、原田 信介³、梅田 享英¹ (1.筑波大数物、2.京都大、3.産総研)

キーワード：MOS構造、界面欠陥、電子スピン共鳴分光

Si面4H-SiC/SiO₂ 界面欠陥を分光学的に調べるために電子スピン共鳴分光（ESR）法を用いた。4H-SiC エピタキシャル層を用意してドライ酸化、NO処理およびPOCl₃処理を行った。ドライ酸化膜を成長させ、4H-SiC/SiO2界面欠陥を調べたら炭素欠陥が観測された。その炭素欠陥はアモルファスカーボン等で見られた炭素ダングリングボンドに似ている。また、その界面欠陥はNO処理やPOCl₃処理によって除去されることが分かった。