[16a-P5-1~15] 15.6 Group IV Compound Semiconductors (SiC)

[16a-P5-4] Relationship between Current Density and Stacking Fault Expansion Origin in Forward Degradation of 4H-SiC PiN Diode

〇SHOHEI HAYASHI^1,2, TAMOTSU YAMASHITA^1,3, SENZAKI JUNJI¹, MIYAZATO MASAKI^1,4, RYO MINA^1,4, MASAAKI MIYAJIMA^1,4, YOSHIYUKI YONEZAWA¹, TOMOHISA KATO¹, KAZUTOSHI KOJIMA¹, HAJIME OKUMURA¹ (1.AIST, 2.Toray Research Center Inc., 3.SHOWA DENKO K.K., 4.Fuji Electric Co. Ltd.)

Keywords:SiC, stacking fault, PiN Diode

4H-SiCバイポーラデバイス順方向通電時において、エピタキシャルウェハ内の基底面転位(BPD)を起源とした積層欠陥(SF)の拡張により順方向電圧上昇を引き起こす。BPDは通電時の電子-正孔再結合により30 ^○Si-core部分転位が移動することで部分転位のバーガーズベクトルに応じた三角状または帯状SFに拡張し、通電条件により異なる拡張過程が報告されている。本研究では、SF拡張開始電流密度と起点BPDについて詳細に調査した。