[16a-P5-1~15] 15.6 Group IV Compound Semiconductors (SiC)

[16a-P5-6] Improvements of 4H-SiC MOS interface with barium

〇Kousuke Muraoka¹, Hiroshi Sezaki^1,2, Seiji Ishikawa^1,2, Tomonori Maeda^1,2, Takamaro Kikkawa¹, Shin-Ichiro Kuroki¹ (1.Hiroshima Univ. RNBS, 2.Phenitec Semiconductor)

Keywords:4H-SiC(0001), MOS structure, Barium

4H-SiC(Silicon Carbide) MOSFETでは酸化膜-SiC界面の高い界面準位密度(D_it)に起因するチャネル移動度低下が問題となっている。改善策として窒素・リン等の異種原子導入および高温アニール法が提案されており、盛んに研究が行われている。D.Lichtenwalner等はMOS界面にバリウム(Ba)処理を施し、チャネル移動度および界面準位密度改善にアルカリ土類金属が有効であることを報告した。本研究ではBaO₂薄膜をSiC上に形成し、その後酸化を行うことで、酸化膜へBa原子を導入した。D_itの評価法としてコンダクタンス法を選択し、Ba原子がMOS界面に与える影響を分析した。加えてX線光電子分光法を始めとする物性評価を行い、電気特性とあわせて結果を報告する。