Bias Dependence of Heavy-Ion-Induce Charge Collected from SiC MOSFET

9:30 AM - 11:30 AM

[16a-P5-8] Bias Dependence of Heavy-Ion-Induce Charge Collected from SiC MOSFET

〇Takahiro MAKINO¹, Shuhei TAKANO^1,2, Shinsuke HARADA³, Kazutoshi KOJIMA³, Yasuto HIJIKATA², Takeshi OHSHIMA¹ (1.QST, 2.Saitama Univ., 3.AIST)

Keywords:Single Event Effects

本研究では，SiCデバイスのイオン照射効果を明らかにするため，SiC MOSFET におけるシングルイベント現象の観察を行った．具体的には，SiC MOSFET においてソース，ドレイン間の電圧状態がイオン誘起電荷収集過程にどのような影響を与えるかを検証した．