[16a-P5-1~15] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[16a-P5-8] SiC MOSFETにおける高エネルギー重イオン誘起電荷収集の電圧依存

〇牧野 高紘¹、高野 修平^1,2、原田 信介³、児島 一聡³、土方 泰斗²、大島 武¹ (1.量研機構、2.埼玉大学、3.産総研)

キーワード：シングルイベント

本研究では，SiCデバイスのイオン照射効果を明らかにするため，SiC MOSFET におけるシングルイベント現象の観察を行った．具体的には，SiC MOSFET においてソース，ドレイン間の電圧状態がイオン誘起電荷収集過程にどのような影響を与えるかを検証した．