[16p-412-1~20] 13.5 デバイス／集積化技術

[16p-412-10] NiGe雪掻き効果による急峻な不純物分布をもつp⁺/n Ge接合の実現

〇松村 亮^1,2、加藤 巧¹、高口 遼太郎¹、竹中 充¹、高木 信一¹ (1.東京大学、2.学振特別研究員)

キーワード：pn接合

Ge系トンネル電界効果トランジスタ(TFET)の性能向上のため、急峻な濃度分布を持つソース・チャネルジャンクションの形成が求められている。一方、イオン注入を行った半導体が金属と反応することでドーパントの偏析、再分布（雪掻き効果）が起こることが報告されており、ドーパント分布の急峻化が期待できる。そこで、TFETへのソース領域への適用を念頭に、BF₂の低エネルギー注入と、NiGeによる雪掻き効果を組み合わせ、結果として、~5 nm/decの急峻なボロン分布をもつGe p⁺/n 接合を実現したので報告する。