[16p-413-1~11] 13.3 絶縁膜技術

△ [16p-413-11] HfO₂/Al₂O₃/InGaAsゲート構造をもつMOSFETの移動度のH₂アニール後における成膜温度およびAl₂O₃膜厚依存性

〇大澤 一斗¹、野口 真司¹、祢津 誠晃¹、木瀬 信和¹、宮本 恭幸¹ (1.東工大)

キーワード：電子移動度、high-k絶縁膜、InGaAs

N₂プラズマ/TMA処理、低温成膜を用いたHfO₂/Al₂O₃/InGaAs構造を持つMOSFETにH₂アニールを行い移動度を測定した。120°C成膜HfO₂/2cycle Al₂O₃/InGaAs構造では移動度ピークが30%程向上したが300°C成膜では移動度ピークが劣化した。またAl₂O₃膜厚を変えた120°C成膜HfO₂/Al₂O₃/InGaAsの移動度へのH₂アニールの影響を調べた。