[16p-502-1~10] 先進パワーデバイスのプロセス技術

[16p-502-8] パワーデバイスに向けたGa₂O₃ウエハプロセス技術

〇倉又 朗人^1,2、輿 公祥^1,2、佐々木 公平^1,2、後藤 健^1,2、渡辺 信也^1,2、山岡 優^1,2、脇本 大樹^1,2、ティユ クァン トゥ¹、増井 建和^1,2、山腰 茂伸^1,2、村上 尚³、熊谷 義直³、東脇 正高⁴ (1.ノベルクリスタルテクノロジー、2.タムラ製作所、3.東京農工大、4.情通機構)

キーワード：酸化ガリウム、パワーデバイス、ワイドバンドギャップ半導体

Ga₂O₃は4.5 eVを超える大きなバンドギャップを有する一方で、10^-3～10¹² Ωcmの広い範囲で導電性を変化させることが可能な酸化物半導体である。また、融液から大型の単結晶を育成できることから低コストでの基板生産に適し、このことが産業応用に向けての大きな魅力となっている。本講演ではGa₂O₃のウエハプロセス技術に関して、ウエハ作製、結晶成長、ドーピング制御を中心に概説し、この材料のパワーデバイスへの適用可能性について展望する。