[16p-503-1~15] 15.4 III-V族窒化物結晶

[16p-503-10] RF-MBE 法を用いたEu 添加GaN ナノコラムLED デバイスの作製

〇松崎 良相¹、関口 寛人¹、今西 智彦¹、尾崎 耕平¹、山根 啓輔¹、岡田 浩^2,1、岸野 克巳³、若原 昭浩^1,2 (1.豊橋技科大工、2.EIIRIS、3.上智大理工)

キーワード：GaNナノコラム、LED、Eu