[16p-503-1~15] 15.4 III-V族窒化物結晶

[16p-503-2] 水素雰囲気異方性熱エッチング（HEATE）法で作製したInGaN/GaNナノ構造の形状に対するアンモニアガス導入効果

〇(B)松岡 明裕¹、水谷 友哉¹、石嶋 駿¹、小川 航平¹、生江 祐介¹、菊池 昭彦^1,2 (1.上智大・理工、2.上智大ナノテクセンター)

キーワード：半導体、ナノ構造、窒化ガリウム

我々は、低圧水素雰囲気中におけるGaNの熱分解反応を利用した新しい低損傷ナノ加工技術である水素雰囲気異方性熱エッチング(HEATE)法に関する研究を行い、HEATEにおけるGaNのエッチング特性について報告してきた。本研究では、水素とアンモニアの混合ガスを用いたHEATE法でInGaN/GaNナノ構造体を作製し、エッチング特性を評価したので報告する。