[16p-E206-1~17] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

△ [16p-E206-5] Si(100)表面平坦化によるHf系MONOS構造の電気特性向上

〇(DC)工藤 聡也¹、塚崎 真弘¹、大見 俊一郎¹ (1.東工大)

キーワード：表面平坦化プロセス、シリコン、不揮発性メモリ

前回、我々はSi(100)基板をAr/4%H₂雰囲気中1050°Cで熱処理することでSi基板表面の原子レベル平坦化を行い、そのデバイス特性への影響を検討した。今回、平坦化のための熱処理条件の最適化を行い、形成したMONOS型不揮発性メモリの電気特性における平坦化の影響について検討した。