[16p-F203-1~15] 17.3 層状物質

[16p-F203-3] 電圧印加による超薄膜ヘテロ界面系の電子物性変化

〇飯田 健二¹、野田 真史¹、信定 克幸¹ (1.分子研)

キーワード：ヘテロ界面、第一原理計算、電圧印加

電圧印加によるヘテロ界面系の電子物性変化はトランジスタやダイオード等の開発に関連して広く研究が行われてきた。近年では二次元物質を用いた新奇デバイスの開発が進められており、それらの電子的機能についての基礎的知見が求められている。そこで本研究では、電圧印加による電子状態変化を記述する第一原理計算手法を開発し、シリカ-グラフェン-窒化ボロンヘテロ界面系の電圧印加による電子状態変化の機構解明を行った。