[16p-F204-1~15] CS.1 3.13 半導体光デバイス,3.15シリコンフォトニクスのコードシェアセッション

[16p-F204-2] Si基板上へのIV-VI族半導体エピタキシャル成長と中赤外線レーザへの応用

〇石田 明広¹、佐藤 正宣¹、秋川 弘樹¹、青藤 唯¹、中嶋 聖介¹ (1.静大院工)

キーワード：中赤外レーザ、IV-VI族半導体、エピタキシャル成長

PbTe、PbSeやPbS等のIV-VI族半導体は、ブリルアンゾーンのL点に直接遷移ギャップを持つナローギャップ半導体で、波長３μm以上の中赤外領域のバンド間遷移レーザへの応用がある。III-V族半導体やII-VI族半導体と異なり、伝導帯と価電子帯の対称なバンド構造によりオージェ非発光再結合確率が小さい。これらの半導体の熱伝導率は小さく、高熱伝導材料であるSi基板上に電流注入型レーザを作製できれば、レーザの高性能化が期待できる。本研究では、Si基板上への電流注入型レーザの作製を目指し、高温成長が必要なCaF2バッファ層を使用しないエピタキシャル成長法の検討も行なったので報告する。