[17a-301-1~12] 15.6 Group IV Compound Semiconductors (SiC)

[17a-301-1] Characterization of 4H-SiC Wafer and SiO2/SiC Using a Laser Terahertz Emission Microscope

Hidetoshi Nakanishi¹, 〇Tatsuhiko Nishimura¹, Katsuya Fujita¹, Fujikazu Kitamura¹, Minoru Mizubata¹, Iwao Kawayama², Masayoshi Tonouchi² (1.SCREEN, 2.ILE Osaka Univ.)

Keywords:SiC, Silicon Carbide, Insulator Films, THz Waves, Terahertz Waves

レーザーテラヘルツエミッション顕微鏡（LTEM）は、フェムト秒レーザーを様々な試料に照射し、それから放射されるテラヘルツ波を検出、イメージ化する技術である。前回、我々は、LTEM を4H-SiC ウエハ･フォトダイオード評価に適用した。今回は同技術を4H-SiC ウエハ・熱酸化膜の特性評価に適用したので報告する。得られた結果から、LTEM 技術がSiC 結晶表面ならびにSiO2/SiC 界面の材料界面の分析・評価に応用できる可能性を示すことができたと考えている。