[17a-301-1~12] 15.6 Group IV Compound Semiconductors (SiC)

[17a-301-2] Evaluation of Inhomogeneity of SiO₂/4H-SiC Interface by Conductive Atomic Force Microscopy and Scanning Nonlinear Dielectric Microscopy

〇Yuji Yamagishi¹, Norimichi Chinone¹, Yasuo Cho¹ (1.Res. Inst. of Electrical Commun., Tohoku Univ.)

Keywords:MOS interface, leak current

酸化膜界面の評価手法として、我々は試料の局所的な容量特性を測定可能な走査型非線形誘電率顕微鏡（SNDM）を用いた評価手法を提案している。本発表では、SNDMを用いた評価に加え、試料にバイアス電圧を印加した状態で探針–試料間に流れる電流の計測が可能な原子間力顕微鏡（電流計測AFM）を用いて、酸化膜リーク電流のマッピングを行うことで、酸化膜界面の不均一さの物理的起源について調べた内容について報告する。