[17a-313-1~10] 8.4 プラズマエッチング

△ [17a-313-6] ハロゲンガスプラズマによる銀のエッチング

〇吉川 憲一¹、浅野 敦紀²、宮脇 雄大²、古本 一仁¹、佐々木 俊行¹、菊谷 圭介¹、林 久貴¹、関根 誠²、堀 勝² (1.株式会社　東芝、2.名古屋大学)

キーワード：プラズマエッチング、銀、ハロゲンガス

銀は、低抵抗材料として半導体デバイスへの適用が検討されているが、凝集や腐食を起こしやすい金属として知られている。本研究では、ハロゲンガスプラズマによる銀のエッチング特性を評価した。またIn-Situ XPS及びAFM測定を行い、大気暴露前の表面状態を観察した。