[17a-315-1~15] 8.3 プラズマ成膜・表面処理

[17a-315-11] a-Si:H太陽電池P/I界面におけるSi-H₂結合評価

〇都甲 将¹、田中 和真¹、小島 尚¹、毛屋 公孝¹、山下 大輔¹、徐 鉉雄¹、板垣 奈穂¹、古閑 一憲¹、白谷 正治¹ (1.九州大学)

キーワード：水素化アモルファスシリコン太陽電池、光劣化、P/I界面

水素化アモルファスシリコン(a-Si:H)太陽電池の解決すべき最重要課題は, 光照射による発電効率低下(光劣化)である. 太陽電池の光安定性は a-Si:H 薄膜中のSi-H₂結合量と負の相関があることが知られている. 本研究ではP層上にI層膜を堆積したサンプルのラマン散乱光強度比I_SiH2/I_SiHのI層膜厚依存性を評価した. この結果よりP/I界面に高密度のSi-H₂結合が形成され, 膜厚の増加と共にSi-H₂結合密度の低い高品質なI層膜が形成されることが分かった.