[17a-411-1~11] 6.1 Ferroelectric thin films

△ [17a-411-6] Dielectric and Magnetic Properties Control in Room-Temperature Multiferroic GaFeO₃-Type Oxide Thin Films via Engineering of Chemical Substitution Sites

〇Tsukasa Katayama¹, Shintaro Yasui¹, Yosuke Hamasaki¹, Takuya Osakabe¹, Mitsuru Itoh¹ (1.Tokyo Tech. MSL)

Keywords:Multiferroic, Oxide thin fIlm, PLD

室温で強誘電性とフェリ磁性を併せ持つGaFeO₃型薄膜は、新たな室温マルチフェロイック材料として注目を集めている。本研究では室温での良質な強誘電性と磁化の大きなフェリ磁性を併せ持つマルチフェロイック材料を目指し、GaFeO₃型薄膜を基にした材料探索を行った。