2017年第64回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

6 薄膜・表面 » 6.1 強誘電体薄膜

[17a-411-1~11] 6.1 強誘電体薄膜

6.1と13.3と13.5のコードシェアセッションあり

2017年3月17日(金) 09:00 〜 12:00 411 (411)

安井 伸太郎(東工大)、吉田 慎哉(東北大)

10:15 〜 10:30

[17a-411-6] 元素置換サイト設計による室温マルチフェロイックGaFeO3型酸化物薄膜の磁気誘電特性制御

片山 司1、安井 伸太郎1、濵嵜 容丞1、越阪部 拓也1、伊藤 満1 (1.東工大)

キーワード:マルチフェロイック、酸化物薄膜、パルスレーザー堆積法

室温で強誘電性とフェリ磁性を併せ持つGaFeO3型薄膜は、新たな室温マルチフェロイック材料として注目を集めている。本研究では室温での良質な強誘電性と磁化の大きなフェリ磁性を併せ持つマルチフェロイック材料を目指し、GaFeO3型薄膜を基にした材料探索を行った。