[17a-E206-1~14] 13.4 Si wafer processing /Si based thin film /Interconnect technology/ MEMS/ Integration technology

[17a-E206-1] [JSAP Young Scientist Award Speech] Formation of low-k nanoporous SiO₂ films by F₂-laser deposition

〇Takuya Toma¹, Akira Suwa^1,2, Daichi Taniyama¹, Daisuke Nakamura¹, Hiroshi Ikenoue^1,2 (1.Kyushu Univ., 2.Department of Gigaphoton Next GLP, Kyushu Univ.)

Keywords:low-k films, pulse laser deposition, F2 laser

ULSIはスケーリング則に伴う微細化による配線遅延の改善が必要とされているが，機械的強度や耐熱性等のプロセス要求を達成しつつ，比誘電率が2に迫る勢いの材料は見出されていない．そこで我々は低誘電率絶縁膜を成膜する技術としてF₂レーザーを用いたPLD法を提案している．本講演では雰囲気圧力制御によるSiO₂ナノ粒子のサイズ変化や，ナノポーラスSiO₂膜の電気特性の測定結果を報告する．