[17a-E206-1~14] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

[17a-E206-1] [講演奨励賞受賞記念講演] F₂レーザー堆積法による低誘電率ナノポーラスSiO₂膜の形成

〇當間 拓矢¹、諏訪 輝^1,2、谷山 大地¹、中村 大輔¹、池上 浩^1,2 (1.九大、2.九大ギガフォトン共同部門)

キーワード：低誘電率絶縁膜、PLD法、F2レーザー

ULSIはスケーリング則に伴う微細化による配線遅延の改善が必要とされているが，機械的強度や耐熱性等のプロセス要求を達成しつつ，比誘電率が2に迫る勢いの材料は見出されていない．そこで我々は低誘電率絶縁膜を成膜する技術としてF₂レーザーを用いたPLD法を提案している．本講演では雰囲気圧力制御によるSiO₂ナノ粒子のサイズ変化や，ナノポーラスSiO₂膜の電気特性の測定結果を報告する．