[17a-E206-1~14] 13.4 Si wafer processing /Si based thin film /Interconnect technology/ MEMS/ Integration technology

[17a-E206-12] Inhomogeneous crystallization of sputter-deposited amorphous Ge films

〇Ryusuke Nakamura¹, Masayuki Okugawa¹, Hiroshi Numakura¹, Manabu Ishimaru², Hidehiro Yasuda³ (1.Osaka Pref. Univ., 2.Kyushu Inst. Univ., 3.Osaka Univ.)

Keywords:amorphous germanium, crystallization, structural analysis

スパッタリングで作製したアモルファスゲルマニウム薄膜の構造が室温での時効により変化すること，そして，それに応じて結晶化挙動が変化することを見い出した．透過型電子顕微鏡による二体分布解析と，電子線照射誘起結晶化組織の結果を報告し議論する．