2017年第64回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

16 非晶質・微結晶 » 16.3 シリコン系太陽電池

[17p-211-1~12] 16.3 シリコン系太陽電池

2017年3月17日(金) 13:30 〜 16:45 211 (211+212)

松木 伸行(神奈川大)、宮島 晋介(東工大)

15:30 〜 15:45

[17p-211-8] レーザーテラヘルツエミッション顕微鏡によるAlO/Si膜の電界効果パッシベーションの評価

望月 敏光1、伊藤 明2、棚橋 克人1、中西 英俊2、川山 巌3、斗内 政吉3、白澤 勝彦1、高遠 秀尚1 (1.産総研、2.SCREEN、3.阪大レーザー研)

キーワード:パッシベーション、テラヘルツ、酸化アルミ

レーザーテラヘルツ放射の測定は、半導体の表面電場を光学的に測定することが可能な技術であり、パッシベーション膜の電界効果のみを測定、マッピングすることが可能と期待される。本研究ではSiN/AlO/p-Si試料のAlO膜厚を変化させ、フォーミングガス中熱処理の前後でレーザーテラヘルツ放射を測定したところ、膜厚の増加及び熱処理で表面が反転層から蓄積層へ連続的に変化する様子を捉えることができた。