[17p-211-1~12] 16.3 シリコン系太陽電池

[17p-211-8] レーザーテラヘルツエミッション顕微鏡によるAlO/Si膜の電界効果パッシベーションの評価

〇望月 敏光¹、伊藤 明²、棚橋 克人¹、中西 英俊²、川山 巌³、斗内 政吉³、白澤 勝彦¹、高遠 秀尚¹ (1.産総研、2.SCREEN、3.阪大レーザー研)

キーワード：パッシベーション、テラヘルツ、酸化アルミ

レーザーテラヘルツ放射の測定は、半導体の表面電場を光学的に測定することが可能な技術であり、パッシベーション膜の電界効果のみを測定、マッピングすることが可能と期待される。本研究ではSiN/AlO/p-Si試料のAlO膜厚を変化させ、フォーミングガス中熱処理の前後でレーザーテラヘルツ放射を測定したところ、膜厚の増加及び熱処理で表面が反転層から蓄積層へ連続的に変化する様子を捉えることができた。