[17p-301-1~11] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[17p-301-11] 窒化したSiC MOSFETに対するチャージポンピング特性のデューティ比依存性

〇王 緒昆¹、岡本 大¹、岩室 憲幸¹、矢野 裕司¹ (1.筑波大)

キーワード：チャージポンピング特性、SiC MOSFET、デューティ比