[17p-301-1~11] 15.6 Group IV Compound Semiconductors (SiC)

△ [17p-301-6] Electrical Characteristics of 4H-SiC(0001) MOSFETs with Gate Oxides Formed at Extreme Oxidation Conditions

〇YOSHIHITO KATSU¹, Hidenori Tsuji^1,2, Ayele Kidist Moges¹, Mitsuru Sometani^1,3, Takuji Hosoi¹, Takayoshi Shimura¹, Heiji Watanabe¹ (1.Osaka Univ., 2.Fuji Electric Co., Ltd., 3.AIST)

Keywords:SiC MOS, MOSFET, Thermal oxide

熱酸化SiO₂/SiC界面欠陥の低減はSiCパワーMOSFET性能向上に向けた重要課題である。本研究では、超高温・低酸素分圧下で熱酸化を施すことでSiC MOSFETの性能向上を図った。その結果、超高温・低酸素分圧下で熱酸化を施した試料は一般的な条件の試料に比べて高移動度が得られた。特に1750°C、酸素分圧1%で作製した試料は約4.7倍の移動度向上が見られた。