[17p-301-1~11] 15.6 IV族系化合物（SiC）

△ [17p-301-6] 熱酸化極限条件で作製した4H-SiC(0001) MOSFET の電気特性評価

〇勝 義仁¹、辻 英徳^1,2、アイエレ キディスト モーゲス¹、染谷 満^1,3、細井 卓治¹、志村 考功¹、渡部 平司¹ (1.阪大院工、2.富士電機、3.産総研)

キーワード：SiC MOS、MOSFET、熱酸化膜

熱酸化SiO₂/SiC界面欠陥の低減はSiCパワーMOSFET性能向上に向けた重要課題である。本研究では、超高温・低酸素分圧下で熱酸化を施すことでSiC MOSFETの性能向上を図った。その結果、超高温・低酸素分圧下で熱酸化を施した試料は一般的な条件の試料に比べて高移動度が得られた。特に1750°C、酸素分圧1%で作製した試料は約4.7倍の移動度向上が見られた。