[17p-301-1~11] 15.6 IV族系化合物（SiC）

△ [17p-301-7] 希土類元素存在下でのSiC/SiO₂界面での酸窒化の促進

〇作田 良太¹、平井 悠久¹、喜多 浩之¹ (1.東大院工)

キーワード：SiC、MOS、窒化

NOによるSiC/SiO₂界面への窒素導入処理は、界面準位密度（D_it）が低い界面を形成できることが知られる一方、界面、酸化膜中だけでなく基板中にも窒素が導入されると指摘されている。そのためNO処理によるMOSFET動作への影響は、D_itの低減だけでなく，ゲート絶縁膜中欠陥の増減、基板中での実効的なドープ濃度変調など多様な効果が複合的に現れている可能性があり，位置選択的な酸窒化の可能性の探索は重要である。そこで本研究では低温下でも界面への窒素導入が可能となるよう、希土類存在かでの界面反応の促進を検討した。