[17p-301-1~11] 15.6 Group IV Compound Semiconductors (SiC)

[17p-301-8] Reduction of surface roughness in Ba-enhanced oxidized SiO₂/SiC structures by reducing the amount of Ba and oxidation temperature

〇Eigo Fujita¹, Masato Tanaka¹, Atthawut Chanthaphan¹, Takuji Hosoi¹, Takayoshi Simura¹, Heiji Watanabe¹ (1.Osaka Univ.)

Keywords:SiC, Metal Enhanced Oxidation

SiC表面上にBaを堆積後、増速酸化によって形成した SiO₂/SiC 構造の表面ラフネスについて初期Ba膜厚及び酸化温度依存性の評価を行った。その結果、初期Ba膜厚が薄いと表面粗さが低減することがわかった。また、キャップ層形成後酸化を行うと800°C以上で増速酸化を示したものの、Ba層のみよりも粗さを低減する結果となった。このことから初期 Ba量を減らし、キャップ層を形成して酸化することで酸化膜成長及び表面ラフネスの発生を抑制できる。