[17p-301-1~11] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[17p-301-8] Ba 増膜酸化 SiO₂/SiC における表面粗さの Ba 膜厚及び酸化温度依存性

〇藤田 栄悟¹、田中 誠人¹、チャンタパン アタウット¹、細井 卓治¹、志村 考功¹、渡部 平司¹ (1.阪大院工)

キーワード：SiC、金属増速酸化

SiC表面上にBaを堆積後、増速酸化によって形成した SiO₂/SiC 構造の表面ラフネスについて初期Ba膜厚及び酸化温度依存性の評価を行った。その結果、初期Ba膜厚が薄いと表面粗さが低減することがわかった。また、キャップ層形成後酸化を行うと800°C以上で増速酸化を示したものの、Ba層のみよりも粗さを低減する結果となった。このことから初期 Ba量を減らし、キャップ層を形成して酸化することで酸化膜成長及び表面ラフネスの発生を抑制できる。