[17p-304-1~15] CS.2 6.1強誘電体薄膜,13.3絶縁膜技術,13.5デバイス／集積化技術のコードシェア

△ [17p-304-2] エピタキシャルHfO₂基膜における強誘電相の安定性 -RE₂O₃-HfO₂ vs ZrO₂-HfO₂-

〇三村 和仙¹、片山 きりは¹、清水 荘雄²、木口 賢紀³、赤間 章裕³、今野 豊彦³、坂田 修身⁴、舟窪 浩^1,2,5 (1.東京工業大学大学院、2.東工大元素、3.東北大金研、4.NIMS、5.東工大物院)

キーワード：HfO2、強誘電体薄膜