2017年第64回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

CS コードシェアセッション » CS.2 6.1強誘電体薄膜,13.3絶縁膜技術,13.5デバイス/集積化技術のコードシェア

[17p-304-1~15] CS.2 6.1強誘電体薄膜,13.3絶縁膜技術,13.5デバイス/集積化技術のコードシェア

2017年3月17日(金) 13:00 〜 17:00 304 (304)

齋藤 真澄(東芝)、藤沢 浩訓(兵庫県立大)

13:30 〜 13:45

[17p-304-3] 強誘電体クロコン酸薄膜のYb界面制御層上への形成

張 鴻立1、前田 康貴1、大見 俊一郎1 (1.東工大 工学院)

キーワード:有機強誘電体、クロコン酸、Yb

これまで、我々は強誘電体クロコン酸薄膜のSiO2/Si(100)基板上への形成に関する検討を行い、C-V特性において分極型のヒステリシスが得られることを報告した。今回、クロコン酸薄膜をYb界面制御層上に形成し、堆積温度に関する検討を行ったので報告する。