[17p-304-1~15] CS.2 6.1/13.3/13.5 Code-sharing Session

△ [17p-304-7] Improvement of ferroelectricity of Hf_xZr_1-xO₂ film using ALD-ZrO₂ seed layer

〇(M1)Takashi Onaya^1,2, Toshihide Nabatame^2,3, Kazunori Kurishima^1,2, Naomi Sawamoto¹, Akihiko Ohi², Naoki Ikeda², Toyohiro Chikyow², Atsushi Ogura¹ (1.Meiji Univ., 2.NIMS WPI-MANA, 3.CREST, JST)

Keywords:Ferroelectric HfxZr1-xO2 film, ZrO2, Atomic layer deposition (ALD)

近年、HfO₂にZrをドープしたHf_xZr_1-xO₂ (HZO)強誘電体は、膜厚10 nm以下でも安定した強誘電性を示すことから低電圧動作が可能となり、抵抗変化型メモリ及び強誘電体FETなどへの応用が期待されている。しかし、HZO強誘電体の強誘電性と下地材料の関係は詳細には調べられていない。そこで、下地材料とHZO膜の強誘電性の関係に着目して、シード層無、ALD-Al₂O₃及びZrO₂シード層を用いたTiN/シード/ALD-HZO/TiNキャパシタを作製して、結晶性及び強誘電性を調べた結果を報告する。