[17p-304-1~15] CS.2 6.1強誘電体薄膜,13.3絶縁膜技術,13.5デバイス／集積化技術のコードシェア

△ [17p-304-7] ALD-ZrO₂シード層によるHf_xZr_1-xO₂膜の強誘電性の改良

〇(M1)女屋 崇^1,2、生田目 俊秀^2,3、栗島 一徳^1,2、澤本 直美¹、大井 暁彦²、池田 直樹²、知京 豊裕²、小椋 厚志¹ (1.明治大学、2.物質・材料研究機構、3.科学技術振興機構)

キーワード：強誘電性HfxZr1-xO2膜、ZrO2、原子層堆積法

近年、HfO₂にZrをドープしたHf_xZr_1-xO₂ (HZO)強誘電体は、膜厚10 nm以下でも安定した強誘電性を示すことから低電圧動作が可能となり、抵抗変化型メモリ及び強誘電体FETなどへの応用が期待されている。しかし、HZO強誘電体の強誘電性と下地材料の関係は詳細には調べられていない。そこで、下地材料とHZO膜の強誘電性の関係に着目して、シード層無、ALD-Al₂O₃及びZrO₂シード層を用いたTiN/シード/ALD-HZO/TiNキャパシタを作製して、結晶性及び強誘電性を調べた結果を報告する。