2017年第64回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.4 III-V族窒化物結晶

[17p-503-1~10] 15.4 III-V族窒化物結晶

2017年3月17日(金) 13:45 〜 16:30 503 (503)

有田 宗貴(東大)、ホームズ マーク(東大)

15:45 〜 16:00

[17p-503-8] 絶対吸収率と光電流測定とを組み合わせた発光ダイオードの光励起キャリア濃度定量

宇佐美 茂佳1、小島 一信2、久志本 真希1、出来 真斗3、新田 州吾3、本田 善央3、秩父 重英2,3、天野 浩3,4,5 (1.名大院工、2.東北大多元研、3.名大未来材料・システム研究所、4.名大赤﨑記念研究センター、5.名大VBL)

キーワード:III族窒化物半導体、発光ダイオード、キャリア生成量