[17p-E206-1~7] 13.4 Si wafer processing /Si based thin film /Interconnect technology/ MEMS/ Integration technology

△ [17p-E206-1] Research on temperature dependence of substrate warpage of Cu thin film deposited on Si

〇Yuji Sato¹, Jun Fujita¹, Yusaku Ito¹, Hiroshi Kobayashi¹ (1.Mitsubishi Electric)

Keywords:electronic device, Copper, thin film

電子デバイスへめっき膜を適用する際に課題となる、ウェハの反り抑制をテーマとし、Si基板/Cuめっき膜の反りのアニール温度依存性を評価した。アニール温度が200℃までは、アニール前後の基板反り変化量が、温度と共に増加した。アニール時には、応力緩和で膜応力が低減すると報告されていて、基板反りも低減するはずだが、めっき膜の脱離ガスを考慮することで本結果を説明できると考える。当日は上記の詳細を報告する。