[17p-E206-1~7] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

△ [17p-E206-1] Cu 薄膜/Si 基板反りの温度依存性評価

〇佐藤 祐司¹、藤田 淳¹、伊藤 悠策¹、小林 浩¹ (1.三菱電機　先端総研)

キーワード：電子デバイス、銅、薄膜

電子デバイスへめっき膜を適用する際に課題となる、ウェハの反り抑制をテーマとし、Si基板/Cuめっき膜の反りのアニール温度依存性を評価した。アニール温度が200℃までは、アニール前後の基板反り変化量が、温度と共に増加した。アニール時には、応力緩和で膜応力が低減すると報告されていて、基板反りも低減するはずだが、めっき膜の脱離ガスを考慮することで本結果を説明できると考える。当日は上記の詳細を報告する。