[17p-E206-1~7] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

[17p-E206-4] 高耐熱用途に開発したCuペースト焼結ダイアタッチの長期信頼性評価

〇(M2)吉川 弘起¹、長尾 至成²、坂上 貴彦³、上郡山 洋一³、佐々木 隆史⁴、下山 章夫²、菅原 徹²、酒 金婷²、菅沼 克昭² (1.阪大工知機能、2.阪大産研、3.三井金属、4.彦島製錬)

キーワード：パッケージング、Cu焼結接合

ポストシリコン次世代パワー半導体の実用化が進んでいるが、従来のSiデバイスに対して小型高効率化を主眼として導入されており、高温動作を保証する例は少ない。本研究では、開発した自己還元型Cuペーストを使用して焼結ダイアタッチ構造を作製し、次世代半導体の高温動作領域における長期寿命特性を評価した。環境試験後の接合体の熱抵抗や組織断面構造は初期状態から変化無く、はんだ接合に比べて遥かに優れた信頼性を実現した。