2017年第64回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

[17p-E206-1~7] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

2017年3月17日(金) 13:45 〜 15:30 E206 (E206)

曽根 正人(東工大)

14:45 〜 15:00

[17p-E206-5] 表面活性化ボンディング法によるAl箔/Si接合への熱処理効果

古名 克也1、梁 剣波1、松原 萌子2、ダムリン マルワン2、西尾 佳高2、重川 直輝1 (1.大阪市大工、2.東洋アルミニウム)

キーワード:表面活性化ボンディング法、アルミ箔、シリコン

半導体素子の特性向上には電極の厚膜化が不可欠である。我々は既にSAB法により作製したAl箔/Si接合を評価し、Al箔は金属電極として機能し得ることを見出した。本研究ではAl箔/Si接合の熱処理後の接合界面を評価することによってAl箔/Si接合の耐熱性の検討を行った。