[17p-E206-1~7] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

△ [17p-E206-6] 弾道電子の近接照射によるIV族半導体薄膜のプリンティング堆積

〇須田 隆太郎¹、八木 麻実子¹、小島 明¹、白樫 淳一¹、越田 信義¹ (1.農工大・院･工)

キーワード：ナノシリコンダイオード、弾道電子、プリンティング堆積

物質塩溶液を塗布した基板にナノシリコンダイオードから面放出する弾道電子を近接照射し、当該物質の薄膜を堆積するプリンティング方式を開発した。半導体の薄膜堆積への有効性をSi、GeおよびSiGeについて確認した。構造・組成評価から、堆積薄膜が酸化したナノクラスターからなること、電子照射エネルギーがSiとGeの核生成の重要因子であり、それがSiGe薄膜の組成比に反映されていることを明らかにした。