[17p-E206-1~7] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

[17p-E206-7] Cホットイオン注入法を用いたSi_1-yC_y層の構造解析(Ⅰ)

〇小又 祐介¹、青木 孝¹、鮫島 俊之²、水野 智久¹ (1.神奈川大理、2.東京農工大工)

キーワード：量子的閉じ込め効果、発光デバイス、イオン注入

Cホットイオン注入法を用いたSi_1-yC_y層の構造の詳細について報告する.