11:15 〜 11:30 △ [20a-331-9] ガンマ線照射によりホモエピタキシャル成長n型GaN中に形成される深さ1 eV以上の電子トラップ 〇(M1)青島 慶人1、鐘ヶ江 一孝2、堀田 昌宏2、須田 淳1,3 (1.名大院工、2.京大院工、3.名大未来研)