11:45 〜 12:00 △ [20a-331-11] GaN自立基板上Ni/n-GaN SBDにおける障壁高さ温度特性のドナー密度依存性 〇(M1)村瀬 亮介1、前田 拓也2、鐘ヶ江 一孝2、堀田 昌宏2、須田 淳1,2,3 (1.名大院工、2.京大院工、3.名大未来材料・システム研究所)