一般セッション(口頭講演)
3 光・フォトニクス » 3.5 レーザー装置・材料
09:00 〜 09:15
〇谷口 誠治1、コスロービアン ハイク1、李 大治1、本越 伸二1、藤田 雅之1、井澤 靖和1、西方 伸吾2、森岡 朋也2、濱本 浩一2、池淵 博2、大谷 雄一2、金子 毅2、醍醐 浩之2 (1.レーザー総研、2.三菱重工)
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09:15 〜 09:30
〇隈元 清哉1、大饗 千彰1、古川 祐介1、桂川 眞幸1 (1.電通大 基盤理工)
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09:30 〜 09:45
〇鈴木 淳1、足立 宗之1、荒木 隼悟1、吉田 直樹1、小嶋 和伸1、羽根渕 昌明1 (1.株式会社ニデック)
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09:45 〜 10:00
〇(M1)鈴木 杏奈1,2、戸倉川 正樹1,2 (1.電通大、2.ILS)
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10:00 〜 10:15
〇河瀬 広樹1、安原 亮1,2 (1.総合研究大学院大学、2.自然科学研究機構、核融合科学研究所)
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10:15 〜 10:30
〇宮田 憲太郎1、棚橋 晃宏1、茂原 瑞希2、志村 啓2、中山 伸一3、和田 智之1 (1.理研、2.日立ハイテク、3.メガオプト)
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