[19p-CE-1~4] 日韓ジョイントシンポ：ワイドバンドギャップ半導体デバイス

2018年9月19日(水) 13:00 〜 14:45 CE (センチュリーホール)

久保俊晴(名工大)

△：奨励賞エントリー
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13:00 〜 13:30

▲ [19p-CE-1] Enhanced Light Extraction from AlGaN Deep-Ultraviolet Light-Emitting Diodes

〇Jong Kyu Kim¹、Jong Won Lee¹ (1.Pohang Univ. of Science and Technology)

13:30 〜 14:00

▲ [19p-CE-2] Crystal plane dependence of interface states density in c- and m-plane GaN MOS capacitors

〇Manato Deki¹、Yuto Ando²、Hirotaka Watanabe¹、Atsushi Tanaka^1,3、Maki Kushimoto²、Shugo Nitta¹、Yoshio Honda¹、Hiroshi Amano^1,4,5 (1.IMaSS Nagoya Univ.、2.Nagoya Univ.、3.NIMS、4.ARC、5.Nagoya Univ. VBL)

14:00 〜 14:30

▲ [19p-CE-3] Classical and Quantum Light Generation from GaN-based Semiconductor Nanostructures

〇Yong-Hoon Cho¹ (1.Korea Advanced Institute of Science and Technology (KAIST))

14:30 〜 14:45

▲ [19p-CE-4] Recessed-gate AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors (HEMTs) Prepared by Photo-electrochemical Etching and Post-metallization Annealing

〇Keisuke Uemura¹、Manato Deki²、Yoshio Honda²、Hiroshi Amano²、Taketomo Sato¹ (1.RCIQE, Hokkaido Univ.、2.IMaSS, Nagoya Univ.)

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