一般セッション(口頭講演)
[19a-431B-1~6] 3.5 レーザー装置・材料
09:00 〜 09:15
〇谷口 誠治1、 コスロービアン ハイク1、 李 大治1、 本越 伸二1、 藤田 雅之1、 井澤 靖和1、 西方 伸吾2、 森岡 朋也2、 濱本 浩一2、 池淵 博2、 大谷 雄一2、 金子 毅2、 醍醐 浩之2 (1.レーザー総研、2.三菱重工)
09:15 〜 09:30
〇隈元 清哉1、 大饗 千彰1、 古川 祐介1、 桂川 眞幸1 (1.電通大 基盤理工)
09:30 〜 09:45
〇鈴木 淳1、 足立 宗之1、 荒木 隼悟1、 吉田 直樹1、 小嶋 和伸1、 羽根渕 昌明1 (1.株式会社ニデック)
09:45 〜 10:00
〇(M1)鈴木 杏奈1,2、 戸倉川 正樹1,2 (1.電通大、2.ILS)
10:00 〜 10:15
〇河瀬 広樹1、 安原 亮1,2 (1.総合研究大学院大学、2.自然科学研究機構、核融合科学研究所)
10:15 〜 10:30
〇宮田 憲太郎1、 棚橋 晃宏1、 茂原 瑞希2、 志村 啓2、 中山 伸一3、 和田 智之1 (1.理研、2.日立ハイテク、3.メガオプト)