一般セッション(口頭講演)

[20a-131-1~11] 【CS.9】 10.1 新物質・新機能創成（作製・評価技術）, 10.2 スピン基盤技術・萌芽的デバイス技術, 10.3 スピンデバイス・磁気メモリ・ストレージ技術, 10.4 半導体スピントロニクス・超伝導・強相関のコードシェアセッション

2018年9月20日(木) 09:00 〜 12:00 131 (131+132)

塩田陽一(京大)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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09:00 〜 09:15

△ [20a-131-1] Py/Pt/Co三層構造における新奇スピン軌道トルクの観測

〇日比野有岐¹、小山知弘¹、千葉大地¹ (1.東大工)

09:15 〜 09:30

▼ [20a-131-2] Efficient full spin-orbit torque switching in a single layer of a perpendicularly-magnetized ferromagnetic semiconductor GaMnAs

〇(D)Miao JIANG¹、 Hirokatsu Asahara¹、 Shoichi Sato¹、 Toshiki Kanaki¹、 Hiroki Yamasaki¹、 Shinobu Ohya^1,2,3、 Masaaki Tanaka^1,2 (1.The Univ. of Tokyo、2.CSRN、3.Inst.of Engineering Innovation)

09:30 〜 09:45

▲ [20a-131-3] Giant spin-orbit torque observed in a Py/W/Pt trilayer

〇Shutaro Karube^1,2、 Nobuki Tezuka¹、 Makoto Kohda^1,2、 Masashi Matsuura¹、 Satoshi Sugimoto¹、 Junsaku Nitta^1,2 (1.Eng. Tohoku Univ.、2.CSRN, Tohoku Univ.)

09:45 〜 10:00

▼ [20a-131-4] Dzyaloshinskii-Moriya interaction and spin orbit torque in Pt/Co/Ir multilayers

〇Yuto Ishikuro¹、 Masashi Kawaguchi¹、 Yong-Chang Lau^1,2、 Masamitsu Hayashi^1,2 (1.Univ. of Tokyo、2.NIMS)

10:00 〜 10:15

[20a-131-5] 本研究ではスピントルク強磁性共鳴法を用いCuPt合金のスピントルク効率を評価した。用いられたSi substrate /CuPt(3.5-10nm)/Co(10nm)/AlO_x(2nm)系ではパーマロイを用いた場合に比べ大きなスピントルク効率が得られることを発見した。本発表では高いスピントルク効率の起源について論じる。

〇山田駿介¹、好田誠¹、 Rajagopalan Ramaswamy²、軽部修太朗¹、 Hyunsoo Yang²、新田淳作¹ (1.東北大工、2.シンガポール国立大)

10:15 〜 10:30

▼ [20a-131-6] Magnetization switching combining spin-orbit torque and spin-transfer torque

〇Chaoliang Zhang^1,2,3,4、 Yutaro Takeuchi²、 Yu Takahashi²、 Shunsuke Fukami^2,3,4,5,6,7、 Hideo Ohno^2,3,4,5,6,7 (1.FRIS, Tohoku Univ.、2.Laboratory for Nanoelectronics and Spintronics, RIEC, Tohoku Univ.、3.CSIS, Tohoku Univ.、4.CIES, Tohoku Univ.、5.CSRN, Tohoku Univ.、6.WPI-AIMR, Tohoku Univ.、7.WLRCS, Tohoku Univ.)

10:45 〜 11:00

[20a-131-7] スピン・トランスファー・トルクによるスカーミオニウムのダイナミクス

〇(M1)石田雄一¹、近藤憲治¹ (1.北大電子研)

11:00 〜 11:15

▲ [20a-131-8] Room-temperature field-free formation of stable skyrmions in BiSb/MnGa bi-layers

〇(D)Nguyen HuynhDuy Khang¹、 Fan Tuo¹、 Hai Pham Nam^1,2 (1.Tokyo Tech.、2.Univ. Tokyo)

11:15 〜 11:30

▲ [20a-131-9] Brownian motion of skyrmions in Ta|Fe₇₂Co₈B₂₀|TaO_x

〇Yuma Jibiki¹、 Minori Goto^1,2、 Titiksha Srivastava³、 Willy Lim³、 Stephane Auffret³、 Claire Baraduc³、 Helene Bea³、 Jaehun Cho^1,2、 Eiiti Tamura^1,2、 Yoshishige Suzuki^1,2 (1.Osaka Univ.、2.Osaka CSRN、3.Institute of Engineering Univ. Grenoble Alpes)

11:30 〜 11:45

[20a-131-10] 磁壁を有する強磁性ナノワイヤにおけるトポロジカル超伝導体

〇市村雅彦¹、廣川真男² (1.日立研開、2.広島大工)

11:45 〜 12:00

[20a-131-11] トポロジカル半金属LaBi薄膜の作製と特性評価

〇森雅斗¹、植田研二¹、鈴木健太¹、浅野秀文¹ (1.名大院工)

一般セッション(口頭講演)

[20p-131-1~8] 【CS.9】 10.1 新物質・新機能創成（作製・評価技術）, 10.2 スピン基盤技術・萌芽的デバイス技術, 10.3 スピンデバイス・磁気メモリ・ストレージ技術, 10.4 半導体スピントロニクス・超伝導・強相関のコードシェアセッション

2018年9月20日(木) 13:00 〜 15:15 131 (131+132)

後藤穣(阪大)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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13:00 〜 13:15

▼ [20p-131-1] Voltage-driven magnetization switching using inverse-bias scheme

〇Tatsuya Yamamoto¹、 Takayuki Nozaki¹、 Hiroshi Imamura¹、 Takuro Ikeura^1,2、 Yoichi Shiota¹、 Shingo Tamaru¹、 Kay Yakushiji¹、 Hitoshi Kubota¹、 Akio Fukushima¹、 Yoshishige Suzuki^1,3、 Shinji Yuasa¹ (1.AIST、2.Tsukuba Univ.、3.Osaka Univ.)

13:15 〜 13:30

[20p-131-2] 電圧磁化反転を用いた乱数発生の試み

〇福島章雄¹、山本竜也¹、野崎隆行¹、薬師寺啓¹、久保田均¹、湯浅新治¹ (1.産総研・スピン)

13:30 〜 13:45

▲ [20p-131-3] Improvement in perpendicular magnetic anisotropy and voltage-controlled magnetic anisotropy effect by Ir and W doping

〇Takayuki Nozaki¹、 Tatsuya yamamoto¹、 Hitoshi Kubota¹、 Akio Fukushima¹、 Yoshishige Suzuki^1,2、 Shinji Yuasa¹ (1.AIST、2.Osaka Univ.)

13:45 〜 14:00

▲ [20p-131-4] Observation of Brownian motion of magnetic skyrmion and its control by voltage

〇Takayuki Nozaki¹、 Yuma Jibiki²、 Minori Goto²、 Eiiti Tamura²、 Hitoshi Kubota¹、 Akio Fukushima¹、 Yoshishige Suzuki^1,2、 Shinji Yuasa¹ (1.AIST、2.Osaka Univ.)

14:15 〜 14:30

[20p-131-5] Pt/Co構造における磁気モーメントの電界効果

〇大日方絢¹、小山知弘¹、千葉大地¹ (1.東大工)

14:30 〜 14:45

▼ [20p-131-6] Electric field control of magnetism in surface-oxidized Co

〇Takamasa Hirai¹、 Tomohiro Koyama¹、 Daichi Chiba¹ (1.The Univ. of Tokyo)

14:45 〜 15:00

[20p-131-7] Atomic-layer alignment dependence of the electric-field-induced modification of magnetocrystalline anisotropy

〇林浩平¹、 Abdul-Muizz Pradipto¹、秋山亨¹、伊藤智徳¹、小口多美夫^2,3、中村浩次^1,3 (1.三重大院工、2.阪大産研、3.物材機構)

15:00 〜 15:15

▲ [20p-131-8] Effect of lattice distortion on voltage-controlled magnetic anisotropy at MgO/CoFe interface

〇Masahito Tsujikawa^1,2、 Masafumi Shirai^1,2,3 (1.RIEC, Tohoku Univ.、2.CSRN, Tohoku Univ.、3.WLRCS, Tohoku Univ.)

セッション一覧

△ [20a-131-1] Py/Pt/Co三層構造における新奇スピン軌道トルクの観測

▼ [20a-131-2] Efficient full spin-orbit torque switching in a single layer of a perpendicularly-magnetized ferromagnetic semiconductor GaMnAs

▲ [20a-131-3] Giant spin-orbit torque observed in a Py/W/Pt trilayer

▼ [20a-131-4] Dzyaloshinskii-Moriya interaction and spin orbit torque in Pt/Co/Ir multilayers

▼ [20a-131-6] Magnetization switching combining spin-orbit torque and spin-transfer torque

[20a-131-7] スピン・トランスファー・トルクによるスカーミオニウムのダイナミクス

▲ [20a-131-8] Room-temperature field-free formation of stable skyrmions in BiSb/MnGa bi-layers

▲ [20a-131-9] Brownian motion of skyrmions in Ta|Fe₇₂Co₈B₂₀|TaO_x

[20a-131-10] 磁壁を有する強磁性ナノワイヤにおけるトポロジカル超伝導体

[20a-131-11] トポロジカル半金属LaBi薄膜の作製と特性評価

▼ [20p-131-1] Voltage-driven magnetization switching using inverse-bias scheme

[20p-131-2] 電圧磁化反転を用いた乱数発生の試み

▲ [20p-131-3] Improvement in perpendicular magnetic anisotropy and voltage-controlled magnetic anisotropy effect by Ir and W doping

▲ [20p-131-4] Observation of Brownian motion of magnetic skyrmion and its control by voltage

[20p-131-5] Pt/Co構造における磁気モーメントの電界効果

▼ [20p-131-6] Electric field control of magnetism in surface-oxidized Co

[20p-131-7] Atomic-layer alignment dependence of the electric-field-induced modification of magnetocrystalline anisotropy

▲ [20p-131-8] Effect of lattice distortion on voltage-controlled magnetic anisotropy at MgO/CoFe interface

認証

セッション一覧

△ [20a-131-1] Py/Pt/Co三層構造における新奇スピン軌道トルクの観測

▼ [20a-131-2] Efficient full spin-orbit torque switching in a single layer of a perpendicularly-magnetized ferromagnetic semiconductor GaMnAs

▲ [20a-131-3] Giant spin-orbit torque observed in a Py/W/Pt trilayer

▼ [20a-131-4] Dzyaloshinskii-Moriya interaction and spin orbit torque in Pt/Co/Ir multilayers

▼ [20a-131-6] Magnetization switching combining spin-orbit torque and spin-transfer torque

[20a-131-7] スピン・トランスファー・トルクによるスカーミオニウムのダイナミクス

▲ [20a-131-8] Room-temperature field-free formation of stable skyrmions in BiSb/MnGa bi-layers

▲ [20a-131-9] Brownian motion of skyrmions in Ta|Fe72Co8B20|TaOx

[20a-131-10] 磁壁を有する強磁性ナノワイヤにおけるトポロジカル超伝導体

[20a-131-11] トポロジカル半金属LaBi薄膜の作製と特性評価

▼ [20p-131-1] Voltage-driven magnetization switching using inverse-bias scheme

[20p-131-2] 電圧磁化反転を用いた乱数発生の試み

▲ [20p-131-3] Improvement in perpendicular magnetic anisotropy and voltage-controlled magnetic anisotropy effect by Ir and W doping

▲ [20p-131-4] Observation of Brownian motion of magnetic skyrmion and its control by voltage

[20p-131-5] Pt/Co構造における磁気モーメントの電界効果

▼ [20p-131-6] Electric field control of magnetism in surface-oxidized Co

[20p-131-7] Atomic-layer alignment dependence of the electric-field-induced modification of magnetocrystalline anisotropy

▲ [20p-131-8] Effect of lattice distortion on voltage-controlled magnetic anisotropy at MgO/CoFe interface

認証

▲ [20a-131-9] Brownian motion of skyrmions in Ta|Fe₇₂Co₈B₂₀|TaO_x